根據(jù)平行穿過磁場的強弱和角度不同,阻抗值發(fā)生變化的AMR橋阻與ASIC集成在單芯片中。通過與磁鐵配合,進行非接觸式位置檢測。相比于霍爾傳感器具有更高的精度(回差可以小于3高斯),對磁場平行感應,和不同方向的AMR橋阻配合實現(xiàn)360°兩維感應的特點。 主要應用于不同感應角度與低功耗高頻感應的應用場合,現(xiàn)有兩個產(chǎn)品線,磁阻一維感應開關(guān)與磁阻二維感應開關(guān)。
磁阻一維感應開關(guān):內(nèi)置單路AMR橋阻,實現(xiàn)±25°夾角內(nèi)磁場的檢測。典型應用于需要防止剩磁干擾的精確位置檢測。
磁阻二維感應開關(guān):內(nèi)置多路AMR橋阻,通過不同角度的擺放,實現(xiàn)360°平面內(nèi)磁場的檢測,典型應用于需要大感應角度的磁場的位置檢測。
磁阻一維感應開關(guān):
磁阻二維感應開關(guān):